退火对AlGaInP/GaInP多量子阱 LED外延片性能的影响

摘要：

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导.在460～700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化.但退火温度为780℃时,AlCaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍.

关键词：AlGaInP、AlGaInP/GaInP多量子阱、金属有机化学气相沉积、电化学电容电压分析、光致发光

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分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家科技攻关项目00-068;华南师范大学校科研和教改项目660119

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：510-514