反比相关的双曲余弦平方势与电子的面沟道辐射

摘要：

带电粒子在晶体沟道中的运动行为决定于粒子-晶体相互作用势.常用的粒子-晶体相互作用势有Lindhard势、Moliere和正弦平方势.当超相对论电子沿着晶体的低晶面指数方向入射时,电子和晶体之间的相互作用势可用反比相关的双曲余弦平方势描写.在量子力学框架内,利用这一相互作用势成功地将系统的Schrodinger方程化为超几何方程,从而简化了系统本征值和本征态问题的计算和讨论.考虑到质量的相对论效应和频率的Doppler效应,导出了实验室坐标系中电子的能级分布和辐射谱分布.并以电子的Si(11O)面沟道辐射为例,选定一组与入射粒子有关的参数和一组与晶体有关的参数,计算了能量为E=0.5 GeV的电子在低位能级之间的跃迁,导出了电子面沟道辐射能量△E=49.1 MeV,得到了与实验符合的结果.

关键词：Schrodinger方程、超几何函数、沟道辐射、本征值、本征态

所属期刊栏目：25

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：广东省科技厅科技计划2003A1040312

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：473-476