分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜

摘要：

用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了p型氧化锌薄膜.在实验中采用高纯金属锌作为zn源、NO作为O源和掺杂源,通过射频等离子体激活进行生长.在生长温度300℃,NO气体流量为1.0 sccm,射频功率为300W的条件下,获得了重复性很好的p型znO,且载流子浓度最大可达1.2×1019cm-3,迁移率为0.053 5 cm2·V-1·s-1,电阻率为9.5 Ω·cm.

关键词：氧化锌薄膜、p型掺杂、一氧化氮、射频等离子体、分了束外延

所属期刊栏目：25

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60336020;国家高技术研究发展计划863计划2001AA311120;中国科学院知识创新工程项目;国家自然科学基金60176003,6027803l,60376009

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：460-462