基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算

摘要：

碳纳米管由于尺寸极小,它具有很大的场增强因子,且场发射稳定,这些特性使碳纳米管成为一种性能优良的场致发射材料.影响碳纳米管发射电流的重要参数是场增强因子,这需要求解拉普拉斯方程,由于理论解求解很困难,有限元方法成为一种有效的工具.使用有限元程序ANSYS对碳纳米管的静态电场进行了计算,建立了单根碳纳米管的模型,确定了边界条件.研究了金属型碳纳米管尖端周围的电场强度分布,为了更好地了解碳纳米管顶端附近的电场对长径比的影响,使用了参数化设计语言APDL,使得分析效率大大提高,并且计算结果与实际情况相符.说明这种方法是正确、可靠和高效的.

关键词：碳纳米管、电场强度、长径比、场增强因子

所属期刊栏目：25

分类号：TN873.95(无线电设备、电信设备)

资助基金：空间软X射线/极紫外波段成像基础技术研究项目60223003

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：446-448