常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质

摘要：

用常压MOCVD在蓝宝石(0001)面上生长了氧化锌(znO)薄膜.用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射/沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能.AFM分析结果显示,薄膜呈六角柱状结晶,表面平整,粗糙度(RMS)为6.257 nnl,平均晶粒直径达1.895 μm.室温PL测量该样品在380 nm处有很强的近带边发射,半峰全宽为15 nm.使用Hall测量检查了薄膜的电学性质.室温下该样品的载流子浓度为2×1017 cm-3,迁移率为75 cm2·V-1·s-1.用X射线双晶衍射和卢瑟福背散射/沟道效应研究了薄膜的结晶质量,样品的双晶衍射ω扫描半峰全宽为0.04°,沟道效应的最小产额比χmin为3.1%.

关键词：金属有机化学气相沉积、氧化锌、原子力显微镜、光致发光、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射/沟道效应

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分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA302160;电子信息产业发展基金

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：393-395