ZnO薄膜的光抽运紫外激射

摘要：

采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象.在不同激发强度下进行了光荧光谱测量,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合.激发的激光器为3倍频YAG激光器,脉宽15 ps,每秒10个脉冲.抽运光达到样品的光斑直径约为25μm,激射阈值为0.28 μJ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光.在385～390 nm之间的激射峰,其半峰全宽为O.03nm.所观察到的激射没有固定的方向,也就是说是往各个方向发射的.对于ZnO薄膜,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔,激射是通过晶粒强烈的散射导致的自形成谐振腔所产生的.

关键词：金属有机化学气相沉积方法、ZnO薄膜、光抽运紫外激射

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分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA311130;国家自然科学基金60177007,60176026

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：389-392