10.3321/j.issn:1000-7032.2004.04.008
Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/GalnP多量子阱性能的影响.研究表明:掺Si能大大提高(Al0.3Gao7)0.5In0.5P/Gao5In0.5P多量子阱的发光强度.相对于未故意掺杂的样品,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍.外延片的X射线双晶衍射测试表明,Si掺杂并没有使多量子阱的界面质量变差.
AlGalnP、AlGalnP/GaInP多量子阱、X射线双晶衍射、Si掺杂、光致发光
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O472.3(半导体物理学)
国家科技攻关项目00-068;华南师范大学校科研和教改项目660119
2004-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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