磁场下半导体GaAs/Alx Ga1-xAs异质结中的杂质态

摘要：

对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系.结果表明,由于外界磁场使界面附近束缚于正施主杂质的单电子波函数的定域性增强,从而对杂质态的结合能有明显的影响,结合能随磁感应强度的增强而显著增大.还计算了杂质位置、电子面密度产生的导带弯曲以及屏蔽效应诸因素对结合能的影响.结果显示,结合能对电子面密度和杂质位置的变化十分敏感,屏蔽则使得有效库仑吸引作用减弱而导致结合能明显下降.

关键词：异质结、磁场、杂质态、屏蔽

所属期刊栏目：25

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60166002

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：369-374