CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟

摘要：

利用相对论密度泛函理论和嵌人分子团簇方法,模拟计算了具有闪锌矿结构的y态CuI晶体及其缺陷态的电子结构.结果显示晶体的本征能级结构:价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成,导带底由Cu4s轨道组成,禁带宽度为3.1 eV,该结果与实验相符.在不同缺陷态的计算中,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成,其中Cu3d→4s跃迁能量为3.2eV,推测与CuI晶体发光密切相关.

关键词：CuI晶体、密度泛函理论、电子结构、发光机理

所属期刊栏目：25

分类号：O731(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金19774043;教育部优秀青年教师资助计划教人司2002123;高等学校博士学科点专项科研项目;上海市教委资助项目;上海市教委"曙光计划"02SG19;上海市自然科学基金010N18

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-343