MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构

摘要：

使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石/硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化.XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失,同时紫外发射峰增强.对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度.比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大.当ZnO薄膜较薄时,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近,与其他衬底上生长的薄膜相比,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构,声表面波滤波器的中心频率将提高1倍左右.

关键词：金属有机化学气相沉积、声表面波薄膜、X射线衍射、扫描探针显微镜

所属期刊栏目：25

分类号：O422;O472.3(声学)

资助基金：国家自然科学基金60177007,60176026;国家高技术研究发展计划863计划2001AA311130

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：313-316