MOCVD法生长ZnO薄膜的结构及光学特性

摘要：

采用MOCVD方法在c-Al2O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光(PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试.XRD分析只观察到ZnO薄膜(0002)衍射峰,其FWHM数值为O.184°.Raman散射谱中,435.32 cm-1处喇曼峰为ZnO的E2(high)振动模,A1(LO)振动模位于575.32 cm-1处.XPS分析表明:ZnO薄膜表面易吸附游离态氧,刻蚀后ZnO薄膜O1 光电子能谱峰位于530.2 eV,更接近Zn-O键中O1 电子结合能(530.4 eV).PL谱中,在3.28eV处观察到了自由激子发射峰,而深能级跃迁峰位于2.55eV,二者峰强比值为40:1,表明生长的ZnO薄膜具有较高的光学质量.

关键词：ZnO薄膜、金属有机化学气相沉积、结构、光致发光光谱

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分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金59910161983,60177007,60176026;国家高技术研究发展计划863计划2002AA311130

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：305-308