以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性

摘要：

分别在n型半绝缘Si、弱n(n-)以及强n(n+)型Si片(100)面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p-n结.其中在生长p型ZnO时,反应室中通以过量的氧.对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量,在34.1°附近得到了0.3°左右半峰全宽的ZnO(002)衍射峰.ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构.阴极射线荧光的测量显示了位于390nm的紫外特征峰.用I-V特性仪测量了上述ZnO p-n结原型器件的I-V电学输运曲线,其正向显示了约为1.1 V的阈值,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnO p-n结相似,但反向特性明显优于他们的.

关键词：氧化锌、p-n结、硅、电流-电压特性

所属期刊栏目：25

分类号：TN304.21;TN304.12(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA313030;国家重点基础研究发展计划973计划国科基字[2001]51号;安徽省自然科学基金00046506

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：295-299