射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射

摘要：

用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备出具有良好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜.研究了室温下薄膜的光致发光特性,观察到显著的单绿光发射(波长为514 nm)峰.在氧气中830℃高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,绿光发射峰强度变弱;在真空中830℃高温退火后,绿光发射峰强度增加.绿光发射源于氧空位深施主能级到价带顶的电子跃近.

关键词：ZnO薄膜、磁控溅射、绿光发射

所属期刊栏目：25

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60076006;高等学校博士学科点专项科研项目2000042204

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：291-294