高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

摘要：

为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发射波长为808 nn,腔长900 μm,条宽100μm,其外延结构与通常的808nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层,其厚度约为0.1 μm.为减小衬底表面位错对外延层质量的影响,在n+-GaAs衬底和n-Al05Ga0.5As下包层间加一层n+-GaAs缓冲层.对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验.与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性.3 000 h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性.

关键词：高功率半导体激光器、远结、单量子阱、AlGaAs/GaAs

所属期刊栏目：25

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：267-271