多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响

摘要：

不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因.对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响.认为在一定的范围内,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移,要获得较强的发光,需要选择合适的电流密度;随着腐蚀时间的延长,多孔硅的发光峰位也发生蓝移.当HF酸的浓度较小时,峰位随浓度的增大表现为向低能移动;而当HF酸的浓度较大时,峰位随浓度的增大则表现为移向高能.多孔硅在空气中自然氧化,其发光峰位发生蓝移,而发射强度随放置时间的延长而降低.并用量子限制模型和发光中心模型对实验结果进行解释.

关键词：多孔硅、制备条件、PL光谱

所属期刊栏目：25

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y2002A09

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：261-266