10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.003
镶嵌于多孔硅微腔中8-羟基喹啉铝的窄峰发射
利用浸渍法将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔硅微腔中,制备了多孔硅微腔-Alq3镶嵌膜,研究了多孔硅微腔对镶嵌其中的Alq3自发发射的微腔效应,观察到了光谱窄化、发光强度增强等现象.镶嵌于多孔硅微腔中的Alq3荧光光谱的半峰全宽只有15nm,而非微腔样品,即镶嵌于普通的单层多孔硅中Alq3荧光谱半峰全宽在85 nm以上.并且有微腔时Alq3发光强度比没有微腔时Alq3发光强度增强一个数量级.随机改变微腔中Bragg反射镜高折射率层的几何厚度可使高反射区展宽,从而更加有效地抑制了多孔硅本身的发光模,使发光色度更纯,但由于峰值透射率减小,导致共振峰强度有所减小.多孔硅微腔有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq3在电致发光器件方面应用的一条新途径.
多孔硅微腔、8-羟基喹啉铝、光致发光
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O482.31;TN383.1(固体物理学)
山东省自然科学基金Y202A09
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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