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10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.018

纳米Gd2O3中两种格位Eu3+的电荷迁移态激发跃迁

引用
观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd2O3:Eu3+的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱.受强量子限域效应的影响,纳米Gd2O3:Eu3+的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性.用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致.通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd2O3:Eu3+中C2和S6格位Eu3+的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C2和S6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合.

Gd2O3:Eu3+纳米晶、电荷迁移带、格位选择激发光谱

25

O482.31(固体物理学)

国家自然科学基金50172047,10174078,10274083,60308008

2004-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

193-196

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1000-7032

22-1116/O4

25

2004,25(2)

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