超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性

摘要：

以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列.这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm.研究发现,载气的湿度对非晶SiO2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程.对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关.首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用.由于SiO2是传统的光纤材料,单根SiO2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中.

关键词：非晶SiO2、纳米线阵列、光致荧光

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分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目50025206,19834080

在线出版日期：2004-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：173-177