10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.013
GaP1-xNx混晶中新束缚态的研究
利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的光学性质.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,对其激活能的拟合及对时间衰退发光谱的分析表明,新的束缚态一方面仍保留有N束缚激子的性质,另一方面又表现出有别于NN对束缚激子的发光机制.说明新的束缚态有可能由新的N原子组成(如NNN原子)或与NN对束缚激子存在着某种相互作用.
发光、Ⅲ-V族半导体、带隙弯曲
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O472.3(半导体物理学)
国家自然科学基金60276002;福建省自然科学基金A0110007
2004-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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