用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜

摘要：

利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al2O3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜.使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20° ,证实为ZnO单晶薄膜.室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光.电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流子浓度为7×1016cm-3,与体单晶ZnO中的载流子浓度相当.

关键词：氧化锌单晶薄膜、射频等离子体、分子束外延、蓝宝石衬底

所属期刊栏目：25

分类号：O471(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA31112;中国科学院知识创新工程项目;中国科学院"百人计划";国家自然科学基金60176003,60278031

在线出版日期：2004-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：147-150