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10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.006

MOCVD方法生长ZnO微米柱的结构与光学性质

引用
通过X射线衍射、扫描电子显微镜和变温光致发光光谱对MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上的ZnO微米柱材料的结构及发光特性进行了表征.X射线衍射结果表明,ZnO具有良好的c轴择优取向,扫描电子显微镜图中可观察出ZnO微米柱呈六角结构生长,半径约为0.5~1.5μm.样品的发光光谱通过He-Cd激光器的325 nm线激发,从光谱中发现低温(81 K)下出现极强的与激子相关的带边发光峰,温度升高到360 K时与自由激子相关的紫外发射峰仍然是清晰可见.

金属有机化学气相沉积、ZnO微米柱、X射线衍射、扫描电子显微镜、光致发光

25

O472.3(半导体物理学)

国家高技术研究发展计划863计划2001AA31112;中国科学院知识创新工程项目;中国科学院"百人计划";国家自然科学基金60176003,60278031

2004-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

139-142

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1000-7032

22-1116/O4

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2004,25(2)

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