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10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.003

溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用

引用
ZnO是一种重要的功能材料和新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料.采用溶胶-凝胶(Sol-gel)工艺在Si(100)、Si(111)和c面蓝宝石衬底上成功制备出高质量的ZnO纳米薄膜,并用XRD、SEM、AFM等方法研究了薄膜的特性.首次以制备的ZnO纳米薄膜为缓冲层,在n型Si(100)衬底上采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延生长了SiC薄膜,得到了低载流子浓度、高电子迁移率和高空穴迁移率的两种SiC薄膜样品,分析了该薄膜的性能.

ZnO薄膜、溶胶-凝胶工艺、纳米薄膜、宽禁带半导体

25

O472.3(半导体物理学)

国家自然科学基金60276045

2004-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

123-128

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1000-7032

22-1116/O4

25

2004,25(2)

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