MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性

摘要：

MgO和ZnO形成合金MgxZn1-xO的带隙可以在3.3～7.9 eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景.由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/MgxZn1-xO量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值.回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/MgxZn1-xO超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/MgxZn1-xO超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系.

关键词：MgZO薄膜、量子阱、超晶格、光致发光、受激发射

所属期刊栏目：25

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60076006;高等学校博士学科点专项科研项目2000042204

在线出版日期：2004-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：111-116