10.3321/j.issn:1000-7032.2004.01.013
纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性
在Y2O3:Eu3+体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu3+的5Do→7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的5Do→7Fo发射(580nm)的强度,随着激发波长在200~300 nb紫外区由长变短而增强.这一现象说明Y2O3:Eu3+中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同.光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递.与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论.
格位、电荷迁移带、能量传递、红移
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O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金50172047,10274083;中国科学院"百人计划"
2004-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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