10.3321/j.issn:1000-7032.2004.01.002
ZnO薄膜的自组织设计及形貌控制
采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在Si(100)基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜.研究发现,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜.但X射线衍射(XRD)分析表明:ZnO薄膜的c轴(002)取向与入射角无关,且不沿ZnO柱状结构的生长方向取向.由于ZnO的(002)面为其表面自由能最低且原子密度高的晶面,ZnO薄膜的生长更易于在垂直于基片表面的方向c轴取向生长.
ZnO薄膜、柱状结构、c轴取向
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O471(半导体物理学)
国家自然科学基金60390073
2004-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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