MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层.利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征.结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为 9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量.X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3.GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ＝1.55μm).根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90%.

关键词：金属有机化学气相沉积、InP/GaInAsP、分布布喇格反射结构

所属期刊栏目：24

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50072030,60177014

在线出版日期：2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：632-636