FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析

摘要：

掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注.我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜.Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C=N的方式与C结合.N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%.但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢.

关键词：磁过滤阴极真空弧沉积、Ta-C(N)薄膜

所属期刊栏目：24

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-715-008-0040

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：535-539