10.3321/j.issn:1000-7032.2003.04.024
基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响
用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态.用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻.结果表明:随衬底温度的升高,晶粒明显长大,膜内的缺陷和应力显著减小,而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向.结果表明,薄膜电阻率显著减小,而磁电阻显著增大.
坡莫合金薄膜、磁控溅射、结构、磁电阻
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TM276(电工材料)
国家自然科学基金19974005
2003-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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