10.3321/j.issn:1000-7032.2003.04.023
直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度
利用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体,通过改变放电气体中N2的流量 (N2流量比分别为5%,10%,30%,50%)及溅射时间(160,30,20,10,5min),在玻璃衬底上沉积了FexN薄膜.用X射线光电子能谱(XPS)方法确定了不同N2流量下薄膜的成分;X射线衍射(XRD)方法分析了不同N2流量下的FexN薄膜结构,当N2流量比为5%时获得了FeN0.056相,10%时为ε-Fe3N相,30%和50%流量比下均得到FeN相.利用原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线散射(GIXA)方法研究了膜表面的粗糙度和形貌,发现随着N2流量的增加,薄膜表面光滑度增加,薄膜表面呈现自仿射性质.动力学标度方法定量分析表明:薄膜表面因不同N2流量的影响而具有不同的动力学指数,当氮气流量比为5%时,静态标度指数α≈0.65,生长指数β≈0.53±0.02,薄膜生长符合基于Kolmogorov提出的能量波动概念的KPZ模型指数规律.
氮化铁薄膜、动力学标度、直流磁控溅射
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O484.1(固体物理学)
2003-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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