45°内反射镜高功率InGaAs/AlGaAs/GaAs面发射半导体激光器结构设计和制备

摘要：

研究了具有45°内反射镜的0.98μm辐射波长的应变InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱面发射半导体激光器结构,并采用 MBE 方法进行了材料制备.同时利用X射线双晶衍射,低温(10K)光致发光(PL)和电化学C-V方法检测和分析了外延薄膜的光电和结构特性.在光致发光谱线中我们得到了发射波长0.919μm的谱峰,谱峰范围跨跃0.911～0.932μm ,双晶回摆曲线、电化学C-V分布曲线显示所设计的结构基本得到实现.

关键词：半导体激光器、面发射、分子束外延、双晶回摆曲线

所属期刊栏目：24

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：兵器科技预研基金00ZS3601

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：395-398