LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

摘要：

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致发光 (PL)谱,得到两个发光峰(记为I1,I2 ),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射.对样品进行了变激发强度的PL谱测量, 当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小.这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的.

关键词：复合量子阱、隧穿几率、光致发光

所属期刊栏目：24

分类号：O472.3;O482.31(半导体物理学)

资助基金：国家攀登计划;国家自然科学基金69896260;中国科学院知识创新工程项目;中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：371-374