10.3321/j.issn:1000-7032.2003.04.004
纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性
报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系.首先利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构且具有择优(002)取向.室温下观察到一束强的紫外(3.26eV) 光致发光(PL) 和很弱的深能级(DL)发射.根据激子峰的半高宽(FWHM)与温度的关系,确定了激子-纵向光学声子(LO)的耦合强度(ГLO).
纳米ZnO薄膜、激子发光、光致发光、热氧化、低压-金属有机化学气相沉积
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
中国科学院"百人计划";国家自然科学基金;黑龙江省自然科学基金;教育部科学技术研究项目;黑龙江省高校骨干教师创新能力资助计划;黑龙江省科技攻关项目
2003-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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