10.3321/j.issn:1000-7032.2003.04.002
蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜.通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈11 20〉单一取向的ZnO薄膜.经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究.
蓝宝石、氧化锌薄膜、金属有机化学气相沉积、X射线光电子能谱
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O472.3(半导体物理学)
国家自然科学基金59910161983,60177007,60176026;国家高技术研究发展计划863计划2002AA311130
2003-09-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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