10.3321/j.issn:1000-7032.2003.03.021
硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性
通过控制电泳沉积(EPD)时间,在硅基片上沉积不同密度的金刚石籽晶.再用热丝化学气相沉积(HFCVD)设备,在硅基籽晶上合成多晶金刚石薄膜.薄膜中通常含有非金刚石相碳成分.用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱对样品的表面形貌和成分进行了表征,测量了样品的场发射特性.比较并分析了样品的表面形貌和非金刚石成分上的差异对金刚石薄膜场发射特性的影响.
金刚石薄膜、场发射、籽晶密度、电泳沉积
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TN141.39;TN873.95(真空电子技术)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA313080
2003-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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