低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索

摘要：

在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池.无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜.通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6.25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4.5%(低纯硅粉制成的SSP衬底).

关键词：颗粒硅带、薄膜、太阳电池

所属期刊栏目：24

分类号：TN366(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028208

在线出版日期：2003-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：301-304