10.3321/j.issn:1000-7032.2003.03.008
(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减
为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来.用泵浦-探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间.
(CdZnTe、ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱、激子衰减、泵浦-探测
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O472(半导体物理学)
国家攀登计划;国家自然科学基金69896260;国家自然科学基金60077015;中国科学院"百人计划"
2003-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
257-260