(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减

摘要：

为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来.用泵浦-探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间.

关键词：(CdZnTe、ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱、激子衰减、泵浦-探测

所属期刊栏目：24

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家攀登计划;国家自然科学基金69896260;国家自然科学基金60077015;中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2003-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：257-260