Morse势阱中子带间的光吸收

摘要：

研究了Morse势阱中子带间的光吸收,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式,然后以GaAs/AlGaAs Morse 势阱为例进行数值计算.结果表明,线性吸收系数是正的,为总吸收系数作出积极的作用,而三阶非线性吸收为负,抵消了一部分线性吸收,进而得到总的吸收系数;吸收系数随着入射光强度的增大而减小,即出现吸收饱和现象;当势阱参数a增大时,吸收系数增大,即阱宽较窄时,系统吸收的能量较多.若要获得较大的光学吸收系数,就要输入较小的光场强度,并选择适当的势阱参数a和入射光频率.

关键词：Morse 势阱、光吸收系数、密度矩阵方法

所属期刊栏目：24

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：广东省自然科学基金011835

在线出版日期：2003-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：247-252