GaN的声表面波特性研究

摘要：

采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜.为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm.采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ2).所测量的声表面波速度(v)为5 667m/s,机电耦合系数(κ2)为1.9%.

关键词：GaN、声表面波速度、机电耦合系数

所属期刊栏目：24

分类号：O472.31(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60086001,69906002;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：161-164