掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1000-7032.2003.01.014

掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

引用
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)实验手段,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降,低价氧浓度下降.提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3+占据VPb的形式存在.Y3+占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因,而由于晶体内低价氧浓度的减少,作为绿光发光中心的(WO3+O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加.

掺钇钨酸铅晶体、微观缺陷、正电子湮没寿命谱、X光电子能谱

24

O482.31;O77;O739(固体物理学)

国家自然科学基金19774043;高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划;上海市教委资助项目;上海市教委"曙光计划"02SG19;上海市自然科学基金01QN18

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

76-80

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

发光学报

1000-7032

22-1116/O4

24

2003,24(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn