RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

摘要：

在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的六个PL峰变为3.1, 3.0, 2.85, 2.6, 2.36, 2.2eV.本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨.

关键词：LPCVD、氮化硅薄膜、快速退火(RTA)

所属期刊栏目：24

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：科技部科研项目2001DIB20107

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：66-68