MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用

摘要：

用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性.用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测.所用Al0.5Ga0.5As势垒外延层,对镶嵌在其中的InAs量子点有很强的量子限制作用,并产生强量子限制效应,可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作"深能级"的热激发来研究,这样可用DLTS方法进行测量.在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中,由充电和放电过程的IIDS-VGS曲线可以看到阈值电压有非常大的移动,这样便产生存储效应.

关键词：垂直堆垛的InAs量子点、分子束外延(MBE)、深能级瞬态谱、场效应管(FET)、非挥发存储器

所属期刊栏目：23

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60177041

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：554-558