InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究

摘要：

分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PB)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质.多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子-声子耦合引起的.通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长.我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果.

关键词：InGaAs/GaAs应变量子阱、形态势模型、时间分辨谱

所属期刊栏目：23

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金A992001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：549-553