新型变密度卤化物/MCP反射式X射线敏感薄膜的研究

摘要：

在MCP输入端通道内壁制作了反射式X射线敏感膜层,提高了MCP对能量35～50kev X射线的探测能力.实验结果表明:变密度结构的CsI/MCP中膜层结构较密实时,其输出响应可提高5～6倍,较无膜MCP提高1～2个数量级,和CsBr、KBr相比较,以CsI的响应特性为最佳;膜层材料、结构、工艺和X射线能量等是影响探测能力的主要因素.最后指出了这种反射式CsI/MCP薄膜的应用前景.

关键词：变密度、卤化物、X射线光阴极、微通道板

所属期刊栏目：23

分类号：TN144.1(真空电子技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：513-517