10.3321/j.issn:1000-7032.2002.05.011
In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响.实验结果表明:降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由(100)向(111)A偏6~15的衬底都有利于增加IRGaAlP合金中Zn的掺杂浓度;提高生长温度和增加SIH4流量、减小Al含量和V/Ⅲ比,都有助于增加Si掺杂浓度,而衬底晶向对Si掺杂浓度无影响.
InGaAlP、LP-MOCVD、掺杂剂、掺杂特性
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TN305.3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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