生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

摘要：

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响.随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例.在生长温度较高时,外延层表面粗糙.生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽.迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长温度的升高反而降低.生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小.

关键词：铟镓砷、生长温度、低压金属有机化学气相沉积

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金5013202

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：465-468