94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较

摘要：

在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器,分别在室温下和94K低温下,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应.结果表明,在94K下响应有了很大的改善.当光波长从360nm增加到450nrm时,响应下降了3个数量级,而常温下只下降两个数量级,但探测器的时间响应常数变长了.

关键词：MSM、GaN、光电探测器、94K、室温

所属期刊栏目：23

分类号：TN364(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：461-464