低束流Nd3+注入硅基薄膜结构及光致发光的研究

摘要：

采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕硅化合物.测试了样品的光致荧光谱,在254nm(～5.0eV)光激发下获得了紫蓝光区(410～430nm)和红光区(746nm)荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大.746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁(4F7/2,4S3/2→4I9/2),讨论了注入层结构与荧光发射的相关性.

关键词：离子注入、Nd3+、结构、光致发光

所属期刊栏目：23

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69766001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：377-380