稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性

摘要：

测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变.运用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行了观察,结果显示,样品表面颗粒大小、粗糙度将影响其发光效率.表面颗粒大小均匀,均方根粗糙度小的样品发光效率较高.通过对样品的卢瑟福背散射(RBS)能谱测量,对样品的表面结构进行了探讨,并讨论了表面结构与光致发光特性之间的联系.对样品的发光机理作了初步探讨.

关键词：稀土掺杂、离子注入、可见光致发光、SiO2薄膜、表面形貌

所属期刊栏目：23

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69766001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：291-295