10.3321/j.issn:1000-7032.2002.03.011
一种有机量子阱结构的光致发光特性
利用高真空有机分子束沉积系统,将两种有机材料,叔丁基联苯基呃二唑(PBD)和8-羟基喹啉铝(Alq),以交替沉积的方式形成一种周期性多异质结结构.从这种结构的能带图上看,类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构,我们称之为有机量子阱结构.这种结构的光致发光(PL)谱线和Alq薄膜的PL谱线相比,峰值向高能量方向偏移了20nm,峰值半高宽窄化了25nm,并对其结果进行了分析.
异质结、有机量子阱、光致发光
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TN383.1(半导体技术)
国家自然科学基金59973007,60077014
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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