LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析

摘要：

采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实验研究了其光致发光(PL)特性,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系.结果指出,当Si纳米量子点高度hc＜5nm时,其PL效率基本保持不变.而当hc5nm时,PL效率则急剧下降.同时,PL峰值能量随hc的减少而增大,并与(1/hc)2成正比依赖关系.如当hc从5.5nm减小至0.8nm时,其峰值能量从1.28eV增加到1.43eV,出现了约0.15eV的谱峰蓝移.我们用量子限制效应-界面发光中心复合发光模型解释了这一实验结果.

关键词：Si纳米量子点、自组织生长、量子限制效应-界面中心复合发光

所属期刊栏目：23

分类号：O482.31(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：261-264